发明名称 MOS TRANSISTOR DEPRESSING CHANNEL HOT CARRIER DEGRATION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060067374(A) 申请公布日期 2006.06.20
申请号 KR20040106129 申请日期 2004.12.15
申请人 DONGBU ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 BYUN, DONG IL
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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