半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括一基底、一第一装置及一第二装置。第一装置位于基底上，其包括一源极层及一汲极层，各自位于基底中并延伸至一第一深度。第二装置位于基底上，其包括一源极层及一汲极层，各自位于基底中并延伸至一第二深度。第二深度不同于第一深度。本发明亦揭示一种半导体装置之制造方法。