发明名称 钛酸钡系半导体体瓷器组成物
摘要 提供一种钛酸钡系半导体瓷器组成物,适合作为低电阻、高耐电压且恢复时间短之正特性热敏电阻,例如较大负荷之OA机器、马达用过电流保护元件亦可以使用。相对于每100莫耳由含有10~20莫耳%钛酸钙、1~10莫耳%钛酸铅、剩余部分为钛酸钡构成的主成分,含有0.05~0.15莫耳二氧化锰、1.5~2.5莫耳二氧化矽,而且含有0.2~0.4莫耳氧化铒、氧化镝及氧化镧之中1种以上作为半导体化剂。
申请公布号 TW200619171 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094133296 申请日期 2005.09.26
申请人 东邦钛股份有限公司 发明人 英树
分类号 C04B35/46 主分类号 C04B35/46
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本
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