金属化合物、薄膜形成用原料、及薄膜之制造方法

摘要

本发明之金属化合物系以下述通式(I)表示者，尤其适于使用作为包含ALD法之CVD法等之具有汽化程序之薄膜制造方法的前驱物。094138490-p01.bmp(式中，M表示钽或铌，R^1表示碳原子数1～4之烷基，R^2及R^3分别独立地表示氢原子、甲基或乙基)。094138490-p01.bmp