6F2存取电晶体排列及半导体记忆装置6F2 ACCESS TRANSISTOR ARRANGEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

摘要

提供了一存取电晶体的配置，用于具有共用位元线接触的6F^2堆叠电容器DRAM存储单元的布局。存取电晶体沿半导体线成对排列。各对电晶体的两个电晶体侧面反转朝向各自的公共位元线部分。借助一总是断开的隔离电晶体，每对电晶体与相邻的电晶体对隔开。存取电晶体和隔离电晶体被当作同样的凹进沟道电晶体而形成，具有延长的沟道和增强的隔离性质。对这两类电晶体的接点可提供相同的掺杂浓度。由于同样的器件既提供为存取电晶体，又提供为隔离电晶体，因而降低了光刻图案化工艺的复杂性。