| 摘要 |
本发明系揭示一种非挥发性记忆装置，其包括数个记忆单元，如磁阻随机存取记忆体(MRAM)单元，数个读取电路，及一参考单元，用以产生一参考电压，其由该等读取电路使用，该装置并可判定该参考电压是否因热不稳定而劣化。此可有助于减低一资料错误率。侦测此类劣化能证明比在装置之寿命时间设法设计足够边际更为有效。藉由使用不同形状之单元及不同写入电流，该参考单元比其他单元不易受到劣化影响。在各参考单元被许多记忆单元使用之情形中，该参考单元倾向比任何特殊记忆单元更常被使用，且因此更易受到劣化影响。保护该参考免于较长期劣化之另一方式为周期性地重写该参考单元。 |
