| 摘要 |
本发明之半导体装置，具备：具有贯通孔的半导体基板；和形成于上述贯通孔内面的第1绝缘树脂层；和形成于上述半导体基板的表背面之至少一面的第2绝缘树脂层；和在上述贯通孔内，以至少连接上述半导体基板之表背两面的方式连续形成，且与上述贯通孔的内面藉由上述第1绝缘树脂层绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可具备与贯通孔内之第1导电体层电性连接的第2导电体层(配线图案)。可获得形成于贯通孔内且构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性较高，且适用于多晶片封装(multi chip package)等的半导体装置。又，连接半导体基板之表背间的导电体层及绝缘层的形成性较高，且可削减形成成本。 |
