在使用热处理外延处理法中半导体晶片再使用

摘要

一种在绝缘上半导体(SOI)制造处理中再使用半导体施体晶片之方法和装置,其包括:(a)让施体半导体晶片的第一植入表面,接受离子植入处理以产生施体半导体晶片的第一剥离层;(b)将此一剥离层的第一植入表面接合到第一绝缘基板;(c)将第一剥离层跟施体半导体晶片分离,从而曝露出施体半导体晶片的第一劈开表面，此第一劈开表面有一损坏厚度;以及(d)让施体半导体晶片的第一劈开表面,接受一个或多个高温一段时间以来将第一损坏厚度降低到足够产生第二个植入表面的程度。