图案形成方法,半导体装置之制造方法及曝光用遮罩组

摘要

本发明之目的在于获得可以以良好精确度形成包含有栅形图案和通常图案之抗蚀剂图案的图案形成方法。本发明之解决手段是首先使用偶极(dipole)照明，只以栅形图案形成区域作为实质上之曝光对象而实行第1曝光处理。其次，只以通常图案形成区域作为实质上之曝光对象而实行第2曝光处理。然后，进行显像处理，用来获得抗蚀剂图案。在上述第1曝光处理用之遮罩中，与通常图案形成区域对应之通常图案用遮罩部在全面以遮光图案形成，在第2曝光处理用之遮罩，与栅形图案形成区域对应之栅形图案用遮罩部在全面以遮光图案形成。