发明名称 非挥发性记忆体程式控制用之受位元线管理的方法
摘要 本发明揭示一种用于程式化非挥发性储存装置之系统中以更准确且更合理之程式时间来程式化之技术。在一实施例中,将一第一电压施加至一第一非挥发性储存元件用之一位元线,以便禁止被第一非挥发性储存元件。将一第一程式电压施加至该第一非挥发性储存元件。举例而言,将一程式脉冲施加至该第一非挥发性储存元件之一控制闸极。在该程式脉冲期间,该位元线自该第一电压变至一第二电压,其中该第二电压允许该第一非挥发性储存元件被程式化。
申请公布号 TW200620300 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094114578 申请日期 2005.05.05
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 丹尼尔C 库特曼;尼玛 莫克雷西;育宾 方
分类号 G11C16/24;G11C11/34 主分类号 G11C16/24
代理机构 代理人 黄章典
主权项
地址 美国