| 发明名称 | 互补金属－氧化物－半导体器件P/N阱浅深度隔离方法 | ||
| 摘要 | CMOS器件P/N阱浅深度隔离方法，其特征是，CMOS器件中的N－阱和P－阱的深度都小于PMOS器件与NMOS器件之间的浅沟槽隔离(STI)层的深度(t)，因此，N－阱和P－阱不能构成PN结，只有N－阱和P型硅衬底之间构成PN结，也就是说，只有N－阱和P型硅衬底之间构成PN结有反向饱和漏电流Js。与现有的CMOS器件浅沟道隔离方法比较，反向饱和漏电流减小大约50％。 | ||
| 申请公布号 | CN1783451A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200410084780.9 | 申请日期 | 2004.11.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 肖德元;陈国庆 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1、CMOS器件P/N阱浅深度隔离方法，其特征是，CMOS器件中的N-阱和P-阱的深度都小于PMOS器件与NMOS器件之间的浅沟槽隔离(STI)层的深度(t)，因此，N-阱和P-阱不能构成PN结，只有N-阱和P型硅衬底之间构成PN结，也就是说，只有N-阱和P型硅衬底之间构成PN结有反向饱和漏电流Js。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||