| 发明名称 | TFT及其制造方法，包括该TFT的平板显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种包括可以简单布图的半导体膜的薄膜晶体管(TFT)，制造这种TFT的方法，一种包括该TFT的平板显示器(FPD)，和制造这种FPD的方法。这种TFT包括栅极、与栅极电绝缘的源、漏电极，以及半导体膜，该半导体膜与栅极电绝缘并包括分别与源和漏电极连接的源和漏区，以及连接源和漏区的沟道区。半导体膜具有使沟道区与邻近TFT分隔的凹槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1783515A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200510092286.1 | 申请日期 | 2005.05.20 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 徐旼彻;杨南喆;具在本;姜泰旻;金慧东 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：栅极；与栅极电绝缘的源、漏电极；和半导体有源层，该有源层与栅极电绝缘，并包括分别与源和漏电极连接的源、漏区，以及与源和漏区连接的沟道区，其中，半导体有源层由凹槽使其与邻近的半导体膜隔开。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||