| 发明名称 | 半导体元件以及半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在<1－100>方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1783525A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200510118514.8 | 申请日期 | 2005.10.27 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，其具有：氮化镓衬底；以及在上述氮化镓衬底的上表面上形成的氮化物类半导体层，上述氮化镓衬底的上述上表面相对于(0001)面在<1-100>方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||