钌及/或氧化钌膜的沉积

摘要

本发明一般系关于在形成半导体装置时，使钌及／或氧化钌膜淀积之方法。更特定言之，本发明提出使含钌的金属和以金属－氧为基础的膜淀积于底质表面上之方法。