发明名称 具有可变电阻特性之记忆体装置之控制
摘要 利用至少一个恒定电流源(114、404)以促进有机记忆体单元(102、302、402、904、1102、1206)之烧录(programming)与/或利用至少一个恒定电压源(112、304)以促进有机记忆体单元(200、300、400、900、1100)之抹除之系统与方法。本发明系利用于单一记忆体单元装置与记忆体单元阵列(100)。利用恒定电流源(114、404)可防止在烧录期间产生电流突波(spike)并使得记忆体单元(102、302、402、904、1102、1206)的状态在写入周期期间能够正确的控制,而与记忆体单元的电阻无关。利用恒定电压源(112、304)可在抹除周期期间对于记忆体单元(102、302、402、904、1102、1206)提供稳定的负载并使得在处理期间能够不管记忆体单元电阻的大量动态改变而于记忆体单元(102、302、402、904、1102、1206)精确地控制电压。
申请公布号 TW200617985 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094132958 申请日期 2005.09.23
申请人 高级微装置公司 发明人 方自宁;凡布斯克;比尔
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国