于多重密度介电绝缘层中形成具有金属填充物之镶嵌结构的方法、具有双重密度之介电绝缘层内之镶嵌结构的制造方法、多重密度介电绝缘层内之镶嵌METHOD FOR FORMING A MULTI-LAYER LOW-K DUAL DAMASCENE METHOD FOR FORMING A MULTI-LAYER LOW-K DUAL DAMASCENE

摘要

本发明系提供一种镶嵌结构以及在多重密度之介电绝缘层之间形成镶嵌结构之方法，该方法包括：提供一基板。接着，利用第一制程于该基板上形成至少第一层，其中该第一层包括矽、碳、氧、氢之化合物，并具有第一密度。之后，利用第二制程于该第一层上方形成至少第二层，其中该第二层包括矽、碳、氧、氢之化合物，并具有小于该第一密度之第二密度。然后，蚀刻该第一层以及该第二层而形成一个镶嵌开口，并填充该镶嵌开口以形成一个金属填充之镶嵌结构。