| 主权项 |
1.一种内部电压产生电路,其包括: 一比较构件,用以将一内部电压与一参考电压作比 较,以便输出一第一驱动信号; 一内部电压驱动构件,用以响应该第一驱动信号以 输出该内部电压; 一内部电压侦测构件,用以侦测该内部电压,并且 响应一主动信号以产生一第二驱动信号;以及 一过驱动控制构件,用以响应该第二驱动信号以控 制该第一驱动信号。 2.如申请专利范围第1项之电路,其中该内部电压驱 动构件包括一PMOS电晶体。 3.如申请专利范围第1项之电路,其中该过驱动控制 构件包括一NMOS电晶体,其具有一被连接至该比较 构件之一输出终端的汲极;一用以接收该第二驱动 信号的闸极;以及一被连接至接地电压的源极。 4.如申请专利范围第1项之电路,其中该主动信号系 一具有预设脉冲宽度的脉冲信号。 5.如申请专利范围第1项之电路,其中当该主动信号 被取消时,该内部电压侦测构件便会取消该第二驱 动信号;当该主动信号被启动且该内部电压小于或 等于目标电压时,该内部电压侦测构件便会启动该 第二驱动信号;以及当该主动信号被启动且该内部 电压大于目标电压时,该内部电压侦测构件则会取 消该第二驱动信号。 6.如申请专利范围第1项之电路,其中当该主动信号 处于低位准时,该内部电压侦测构件便会输出低位 准的第二驱动信号;当该主动信号处于高位准且该 内部电压小于或等于目标电压时,该内部电压侦测 构件便会输出高位准的第二驱动信号;以及当该主 动信号处于高位准且该内部电压大于目标电压时, 该内部电压侦测构件则会输出低位准的第二驱动 信号。 7.如申请专利范围第1项之电路,其中该内部电压侦 测构件包括: 一第一反向器,用以反向该主动信号,以便产生一 反向主动信号,其中该第一反向器系被连接在该内 部电压及一接地电压之间; 一第二反向器,用以反向该反向主动信号,其中该 第二反向器系被连接在该内部电压及该接地电压 之间; 一第一电压产生电路,用以接收该第二反向器的输 出信号以及输出衍生自该输出信号的第一电压; 一被连接至该内部电压的第一电晶体,其中该第一 电晶体会响应该反向主动信号而被开启,以便启动 该第二驱动信号; 一被连接至接地电压的第二电晶体,其中当第一电 压大于预设电压时,该第二电晶体便会被开启以取 消该第二驱动信号;以及 一切换电晶体,其中该切换电晶体会响应该反向主 动信号而被开启,以便取消该第二驱动信号。 8.如申请专利范围第7项之电路,其中该第一电晶体 包括一源极,用以接收该内部电压;一闸极,用以接 收该反向主动信号;以及一汲极,用以输出该第二 驱动信号。 9.如申请专利范围第7项之电路,其中该第二电晶体 包括一源极,用以接收该接地电压;一闸极,用以接 收该第一电压;以及一汲极,用以输出该第二驱动 信号。 10.如申请专利范围第7项之电路,其中该切换电晶 体包括一闸极,用以接收该反向主动信号;一被连 接至该接地电压的源极;以及一汲极,用以输出该 第二驱动信号。 11.一种内部电压产生电路,其包括: 一第一比较构件,用以将一内部电压与一参考电压 作比较,以便输出一第一驱动信号; 一内部电压驱动构件,用以响应该第一驱动信号以 输出该内部电压; 一分压构件,用以响应一主动信号分割该内部电压 以产生一分割电压; 一第二比较构件,用以将该分割电压与该参考电压 作比较,以便产生一第二驱动信号;以及 一过驱动控制构件,用以响应该第二驱动信号以控 制该第一驱动信号。 12.如申请专利范围第11项之电路,其中该内部电压 驱动构件包括一PMOS电晶体。 13.如申请专利范围第11项之电路,其中该过驱动控 制构件包括一NMOS电晶体,其具有一被连接至该第 一比较构件之一输出终端的汲极;一闸极,其用以 接收该第二驱动信号;以及一被连接至接地电压的 源极。 14.如申请专利范围第11项之电路,其中该主动信号 系一具有预设脉冲宽度的脉冲信号。 15.如申请专利范围第11项之电路,其中当该主动信 号被取消时,该分压构件便会输出该内部电压;当 该主动信号被启动时,该分压构件便会分割该内部 电压,以产生该分割电压。 16.如申请专利范围第15项之电路,其中: 当该内部电压小于或等于目标电压时,该分割电压 会小于该参考电压;以及 当该内部电压大于该目标电压时,该分割电压便会 大于该参考电压。 17.如申请专利范围第11项之电路,其中当该主动信 号处于低位准时,该分压构件便会输出该内部电压 ;当该主动信号处于高位准时,该分压构件便会分 割该内部电压,以产生该分割电压。 18.如申请专利范围第11项之电路,其中该分压构件 包括: 一被连接至该内部电压及一第一节点的第一负载; 一被连接在该第一节点和一第二节点间的第二负 载;以及 一切换电晶体,其具有一被连接至该第二节点的汲 极;一闸极,用以接收该主动信号;以及一被连接至 接地电压的源极, 其中系透过该第一节点来产生该分割电压。 19.如申请专利范围第18项之电路,其中该切换电晶 体包括一NMOS电晶体。 20.如申请专利范围第11项之电路,其中当该主动信 号被取消时,该第二比较构件便会取消该第二驱动 信号;当该主动信号被启动,该第二比较构件便会 比较该分割电压和该参考电压,以便于该分割电压 小于该参考电压时来启动该第二驱动信号,以及当 该分割电压大于该参考电压时来取消该第二驱动 信号。 21.如申请专利范围第11项之电路,其中当该主动信 号处于低位准时,该第二比较构件便会输出低位准 的第二驱动信号;当该主动信号处于高位准,该第 二比较构件便会比较该分割电压和该参考电压,以 便于该分割电压小于该参考电压时来输出高位准 的第二驱动信号,以及当该分割电压大于该参考电 压时来输出低位准的第二驱动信号。 22.如申请专利范围第11项之电路,其中该第二比较 构件包括: 一第一反向器,用以反向该主动信号,以便产生一 反向主动信号; 一切换电晶体,用以响应该反向主动信号来取消该 第二驱动信号;以及 一比较器,用以比较该分割电压和该参考电压,以 便于该分割电压小于该参考电压时来启动该第二 驱动信号,以及当该分割电压大于该参考电压时来 取消该第二驱动信号。 23.如申请专利范围第22项之电路,其中该切换电晶 体包括一闸极,用以接收该反向主动信号;一被连 接至接地电压的源极;以及一汲极,用以输出该第 二驱动信号。 24.一种内部电压产生电路,其包括: 一比较构件,用以将一比较电压与一参考电压作比 较,以便产生一第一驱动信号; 一内部电压驱动构件,用以响应该第一驱动信号以 输出一内部电压;以及 一分压构件,用以于正常驱动作业期间,可响应一 主动信号用以接收该内部电压,以便产生具有等于 该内部电压之値的比较电压,以及于过驱动作业期 间,可响应该主动信号用以分割该内部电压,以便 产生具有等于该分割内部电压之値的比较电压。 25.如申请专利范围第24项之电路,其中该内部电压 驱动构件包括一PMOS电晶体。 26.如申请专利范围第24项之电路,其中该主动信号 系一具有预设脉冲宽度的脉冲信号。 27.如申请专利范围第24项之电路,其中当该主动信 号被取消时,该分压构件便会输出等于该内部电压 的比较电压;以及当该主动信号被启动时,该分压 构件便会分割该内部电压,以便产生等于该分割内 部电压的比较电压。 28.如申请专利范围第27项之电路,其中 当该内部电压小于或等于目标电压时,该分割内部 电压会小于该参考电压;以及 当该内部电压大于该目标电压时,该分割内部电压 便会大于该参考电压。 29.如申请专利范围第24项之电路,其中当该主动信 号处于低位准时,该分压构件便会输出等于该内部 电压的比较电压;以及当该主动信号处于高位准时 ,该分压构件便会分割该内部电压,以便产生等于 该分割内部电压的比较电压。 30.如申请专利范围第24项之电路,其中该分压构件 包括: 一被连接至该内部电压及一第一节点的第一负载; 一被连接在该第一节点和一第二节点间的第二负 载;以及 一切换电晶体,其具有一被连接至该第二节点的汲 极;一闸极,用以接收该主动信号;以及一被连接至 接地电压的源极, 其中系透过该第一节点来产生该分割内部电压。 31.如申请专利范围第30项之电路,其中该切换电晶 体包括一NMOS电晶体。 32.一种电压产生方法,其包括: 将一内部电压与一参考电压作比较,以便输出一第 一驱动信号; 响应该第一驱动信号以输出该内部电压; 侦测该内部电压,并且响应一主动信号以输出一第 二驱动信号;以及 响应该第二驱动信号以控制该第一驱动信号。 33.如申请专利范围第32项之方法,其进一步包括: 当该主动信号被取消时,便会取消该第二驱动信号 ; 当该主动信号被启动且该内部电压小于或等于目 标电压时,便会启动该第二驱动信号;以及 当该主动信号被启动且该内部电压大于目标电压 时,则会取消该第二驱动信号。 34.如申请专利范围第32项之方法,其进一步包括: 当该主动信号处于低位准时,便会输出低位准的第 二驱动信号; 当该主动信号处于高位准且该内部电压小于或等 于目标电压时,便会输出高位准的第二驱动信号; 以及 当该主动信号处于高位准且该内部电压大于目标 电压时,则会输出低位准的第二驱动信号。 图式简单说明: 图1为一惯用的内部电压产生电路的电路图; 图2为该惯用内部电压产生电路中之内部电压VCCA 变化情形相对于主动信号PACT的关系图; 图3为根据本发明具体实施例的内部电压产生电路 的电路图; 图4为图3之内部电压产生电路之内部电压侦测器 的电路图; 图5为图3之内部电压产生电路之内部电压侦测器 的修改电路图; 图6为图5之内部电压侦测器的电路; 图7为根据本发明具体实施例的内部电压产生电路 的电路图; 图8为图7之内部电压产生电路之分压器的电路图; 以及 图9为图3之内部电压产生电路中之内部电压VCCA变 化情形与信号VC的模拟关系图。 |
