| 主权项 |
1.一种侧向式场发射发光元件,系包含有: 一基板; 一萤光粉材区,设置于该基板上方; 一阴极,系呈棒状结构,设置于该基板上方,且相邻 于该萤光粉材区之一侧;及 一阳极,系呈棒状结构,设置于该基板上方,且相邻 于该萤光粉材区之另一侧,使该阴极所激发之电子 可穿透该萤光粉材区,而由该阳极所接收。 2.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该电子之穿透方向系概略平行于该基板 表面。 3.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该萤光粉材区系包含有复数种颜色之萤 光粉。 4.如申请专利范围第3项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该萤光粉系包含有红(R)、绿(G)、蓝(B)色 。 5.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该阴极系由奈米碳材所构成。 6.如申请专利范围第5项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该奈米碳材系为奈米碳管。 7.如申请专利范围第5项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该奈米碳材系为奈米碳壁。 8.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该阴极系由可加强场发射特性之氧化物 与金属所构成。 9.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该阳极系由奈米碳材所构成。 10.如申请专利范围第9项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该奈米碳材系为奈米碳管。 11.如申请专利范围第9项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该奈米碳材系为奈米碳壁。 12.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该阳极系由可加强场发射特性之氧化物 与金属所构成。 13.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,其中该导电层系一可反射光线之金属层。 14.如申请专利范围第1项所述之侧向式场发射发光 元件,更包括有一导电层,设置于该萤光粉材区下 方,收集该残留于该萤光粉材区之电子。 图式简单说明: 第1图系传统的垂直式场发射发光元件之示意图; 第2图系本发明之实施例之侧向式场发射发光元件 之示意图; 第3图系本发明之实施例之利用阴阳极与萤光粉的 阵列排列方式产生发光区域之示意图;及 第4图系本发明之实施例之利用阴阳极与萤光粉的 另一种阵列排列方式产生发光区域之示意图。 |
