有机薄膜电晶体阵列面板及其制造方法

摘要

本发明提供一种制造一薄膜电晶体阵列面板之方法，该方法包括：于一基板上形成一闸极线；于该闸极线上形成一闸极绝缘层；于一约20℃至35℃之温度下沉积一ITO层；蚀刻该ITO层以于该闸极绝缘层上形成一资料线及一汲电极；及于该资料线、该汲电极及该闸极绝缘层上形成一有机半导体。