应变半导体装置及形成其之至少一部份之方法

摘要

本发明系关于一种用于形成一半导体装置(10，50)之至少一部份之方法，该方法包括提供一基板(12)及于该基板上磊晶式地形成一蚀刻终止层(14)。将一第一层(16)设置于该蚀刻终止层上，其中该第一层可相对于该蚀刻终止层选择性蚀刻。将一结构(20)设置于该第一层之一区域上，其中该区域并非该第一层之全部。另外，该方法包括蚀刻该第一层在该区域外部之至少一部份(28，52)，其中该蚀刻终止层用作一蚀刻终止。将一应变层(36，54)磊晶式地成长于该蚀刻凹陷区域中。