发明名称 Zellenblockstruktur eines nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichers
摘要 Eine Zellenblockstruktur eines nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichers mit einem Zellenarrayblock mit Wortleitungen mit Teilwortleitungsstruktur, die mit einem SWL-Treiberblock verbunden sind, um durch diesen gesteuert zu werden, ist mit Folgendem versehen: DOLLAR A - einer Zellenblock-Auswählschalteinheit (93), die in einem Unterteilungsbereich des Zellenarrayblocks in einen ersten Bereich (95) oder einen zweiten Bereich (97) unterteilt ist, mit einer Elektrode, die mit einer Bitleitung für den ersten Bereich verbunden ist, und einer anderen Elektrode, die mit einer Bitleitung für den zweiten Bereich verbunden ist; und DOLLAR A - einem ersten und einem zweiten Leseverstärkerarray (98b, 99b) zum Lesen eines Datenwerts aus einem Zellenarray entweder im ersten Bereich oder im zweiten Bereich, wie durch die Zellenblock-Auswählschalteinheit ausgewählt. DOLLAR A Durch diese Struktur können die Ladungen auf einer Bitleitung gesenkt werden und Leseverstärkerblöcke auf einfache Weise angeordnet werden.
申请公布号 DE10038228(B4) 申请公布日期 2006.06.01
申请号 DE20001038228 申请日期 2000.08.04
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. 发明人 KANG, HEE BOK
分类号 G11C11/22;G11C14/00;G11C8/12;G11C11/401;G11C16/24 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人
主权项
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