发明名称 半导体致冷血管内亚低温脑保护治疗仪
摘要 本发明提供了一种半导体致冷血管内亚低温脑保护治疗仪。该治疗仪包括血管内点式温度传感装置、输液温度恒温装置、控制装置及电源装置。其中血管内点式温度传感装置置于特定的脑部区域,采集该区域的温度,输液温度恒温装置输出亚低温液体,直接通过血管传送给特定的脑部区域。控制装置通过输液温度恒温装置对输液的温度进行闭环控制。该治疗仪可以对脑部病灶直接发生治疗作用,而对全身的体温影响甚微,因此可以减少或避免亚低温治疗并发症,可大大降低脑梗塞或脑损伤后的病死率和重残率,明显改善患者预后。
申请公布号 CN1778282A 申请公布日期 2006.05.31
申请号 CN200410090420.X 申请日期 2004.11.18
申请人 首都医科大学宣武医院 发明人 凌锋;吉训明;贾建平;刘忠宝;黄庆
分类号 A61F7/00(2006.01);A61F7/12(2006.01);A61M5/44(2006.01);A61M5/00(2006.01);A61B5/01(2006.01);G05D23/00(2006.01) 主分类号 A61F7/00(2006.01)
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人 张爱群
主权项 1.一种半导体致冷血管内亚低温脑保护治疗仪,具有控制装置、电源装置和输液温度恒温装置,所述控制装置通过所述输液温度恒温装置对输液的温度进行闭环控制,其特征在于:所述治疗仪还包括血管内点式温度传感装置;所述血管内点式温度传感装置置于特定的脑部区域,采集该区域的温度,传送给所述控制装置;所述输液温度恒温装置输出亚低温液体,直接通过血管传送给特定的脑部区域。
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