发明名称 |
非易失性存储器件及其制造方法 |
摘要 |
提供一种非易失性存储器及其制造方法。形成与焊盘氧化物层相比较具有高刻蚀速率的绝缘层作为第一STI膜和第二STI膜之间的缓冲层,第一STI膜形成为半导体衬底的下部分,以及第二STI膜形成为半导体衬底的上部分,以获得用于SAP结构的柱子CD。在刻蚀焊盘氧化物层的工序中,缓冲层与焊盘氧化物层相比被更迅速地刻蚀,因此保证足够的柱子CD,而没有过度的湿法回蚀。由此,在实现SAP结构中,可以防止缺陷发生如沟槽或裂缝,以及可以形成均匀厚度的隧道氧化物层。 |
申请公布号 |
CN1779981A |
申请公布日期 |
2006.05.31 |
申请号 |
CN200510114062.6 |
申请日期 |
2005.10.18 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金荣俊;金大雄;金民 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/762(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
林宇清;谢丽娜 |
主权项 |
1.一种用于电编程和擦除数据的非易失性存储器件,包括:一对半导体柱子,每个柱子包括:在半导体衬底的内部中形成的下浅沟槽隔离(STI)膜;在下STI膜上形成的缓冲层,包括与下STI膜相比较具有高刻蚀速率的材料;在缓冲层上形成的上STI膜,包括与缓冲层相比较具有低刻蚀速率的材料;以及在柱子之间并包括平坦表面的有源区,具有在其上淀积的隧道氧化物层。 |
地址 |
韩国京畿道 |