发明名称 半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器
摘要 本发明涉及半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器,其目的在于提高可靠性。在形成有多个集成电路(12)的半导体基板(10)上,形成树脂层(20)。在树脂层(20)的表面,形成多个凹部(22)。在树脂层(20)上,形成通过至少一个凹部(22)的布线(40)。将半导体基板(10),切断成多个半导体芯片。将它们各自的凹部(22),做成:其开口宽度小于布线(40)的厚度,深度则在1μm以上。
申请公布号 CN1258208C 申请公布日期 2006.05.31
申请号 CN200410003939.X 申请日期 2004.02.10
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 伊东春树
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1、一种半导体装置的制造方法,包括:在形成有多个集成电路的半导体基板上,形成树脂层的工序;在所述树脂层的表面,形成多个凹部的工序;在所述树脂层上,形成至少通过一个所述凹部的布线的工序;以及将所述半导体基板,切断成多个半导体芯片的工序,不贯通所述树脂层地形成各个所述凹部,并使其开口宽度小于所述布线的厚度,且具有1μm以上的深度。
地址 日本东京