发明名称 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
摘要 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置,属于显示技术领域。解决了现有的薄膜晶体管中的Cgs和Cgd较大的技术问题。该薄膜晶体管形成于衬底基板上,包括栅极、有源层、源极和漏极,栅极包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分和第三部分分别位于第二部分的两侧,第一部分与源极的位置相对应,第三部分与漏极的位置相对应;衬底基板上形成有两个凹陷,第一部分和第三部分分别位于两个凹陷中;第一部分和第三部分上方覆盖有填充层;填充层和第二部分上方覆盖有栅绝缘层;有源层设置于栅绝缘层上;源极和漏极位于有源层上方,且均与有源层相连。本发明可应用于液晶电视、手机、平板电脑等显示装置。
申请公布号 CN103730511B 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201310728554.9 申请日期 2013.12.26
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘聖烈
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种薄膜晶体管,包括栅极、有源层、源极和漏极,且所述薄膜晶体管形成于衬底基板上,所述源极和所述漏极位于所述有源层上方,且均与所述有源层相连,所述栅极包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分和所述第三部分分别位于所述第二部分的两侧,所述第一部分与所述源极的位置相对应,所述第三部分与所述漏极的位置相对应;所述第一部分和所述第三部分上方覆盖有填充层;所述填充层上方覆盖有栅绝缘层;其特征在于:所述衬底基板上形成有两个凹陷,所述第一部分和所述第三部分分别位于所述两个凹陷中;所述第二部分上方覆盖有栅绝缘层;所述有源层直接设置于所述栅绝缘层上。
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