发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置,属于显示技术领域。解决了现有的薄膜晶体管中的Cgs和Cgd较大的技术问题。该薄膜晶体管形成于衬底基板上,包括栅极、有源层、源极和漏极,栅极包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分和第三部分分别位于第二部分的两侧,第一部分与源极的位置相对应,第三部分与漏极的位置相对应;衬底基板上形成有两个凹陷,第一部分和第三部分分别位于两个凹陷中;第一部分和第三部分上方覆盖有填充层;填充层和第二部分上方覆盖有栅绝缘层;有源层设置于栅绝缘层上;源极和漏极位于有源层上方,且均与有源层相连。本发明可应用于液晶电视、手机、平板电脑等显示装置。 |
申请公布号 |
CN103730511B |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201310728554.9 |
申请日期 |
2013.12.26 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘聖烈 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括栅极、有源层、源极和漏极,且所述薄膜晶体管形成于衬底基板上,所述源极和所述漏极位于所述有源层上方,且均与所述有源层相连,所述栅极包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分和所述第三部分分别位于所述第二部分的两侧,所述第一部分与所述源极的位置相对应,所述第三部分与所述漏极的位置相对应;所述第一部分和所述第三部分上方覆盖有填充层;所述填充层上方覆盖有栅绝缘层;其特征在于:所述衬底基板上形成有两个凹陷,所述第一部分和所述第三部分分别位于所述两个凹陷中;所述第二部分上方覆盖有栅绝缘层;所述有源层直接设置于所述栅绝缘层上。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |