| 发明名称 | 薄膜沉积方法 | ||
| 摘要 | 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1779927A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200510114267.4 | 申请日期 | 2005.10.21 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;近藤英一 | 发明人 | 松泽兴明;佐藤浩;小宫隆行;近藤英一;松本贤治 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种薄膜沉积方法，所述方法是在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜，其包括以下步骤：在所述Cu扩散阻止膜上形成接触膜，其提供所述Cu膜对所述Cu扩散阻止膜的附着；以及向所述基板供应超临界态介质中溶解有前体的加工介质，以使所述Cu膜在所述接触膜上形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||