| 发明名称 | 一种发光二极管结构及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种外延生长的LED结构及其生长方法，在传统的LED结构：衬底层上的缓冲层、uGaN层、n型GaN∶Si层、复合量子阱层－垒层、p型GaN∶Mg层的基础上，通过生长不掺杂的uGaN隔层而使阱层与垒层被隔开，从而在界面处将复合量子阱层与垒层从物理上分隔开。结果表明，通过本发明的生长方法所产生的LED结构与现有技术的LED相比，可以显著地降低LED芯片的反向漏电电流Ir，并提高LED芯片的良品率。本发明可用于制造各种波长的GaN基LED。 | ||
| 申请公布号 | CN1779998A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200410052325.0 | 申请日期 | 2004.11.19 |
| 申请人 | 方大集团股份有限公司 | 发明人 | 刘明德;严志军 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭伟刚 |
| 主权项 | 1、一种发光二极管结构，包括衬底层上的缓冲层、uGaN层、n型GaN:Si层、复合量子阱层-垒层、以及p型GaN:Mg层，其特征在于，通过加入uGaN隔层而使所述阱层与垒层被隔开。 | ||
| 地址 | 518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城 | ||