发明名称 |
表面等离子体共振图像分析金膜点阵列的制备方法 |
摘要 |
本发明属于提供一种表面等离子体共振图像分析金膜点阵列的制备方法。采用软件设计所需的点阵阵列图样,用透明胶片高精度打印的方法制备掩模(Mask)。把正性光刻胶旋涂于SPR金片表面,紫外光通过掩模曝光后,用碱液显影。然后采用选择性化学刻蚀暴露出的金膜,最后用剥离液去掉未曝光的光胶层,从而构建所需的金膜点阵列,点的大小和间距可方便地由掩模来控制。 |
申请公布号 |
CN1258122C |
申请公布日期 |
2006.05.31 |
申请号 |
CN200410010620.X |
申请日期 |
2004.01.09 |
申请人 |
中国科学院长春应用化学研究所 |
发明人 |
董绍俊;邵勇 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种表面等离子体共振图像分析金膜点阵列的制备方法,采用以下3个步骤进行:(1)有表面等离子体共振响应的连续金膜的制备在3-氨基丙基三甲氧基硅烷修饰的玻璃片上自组装一层细小的金胶纳米粒子,然后以此为催化模板,采用化学镀技术在nm尺度范围内控制金膜的均匀增长,紫外可见吸收光谱法和现场表面等离子体共振光谱法用于实时监测金膜的沉积过程,原子力显微镜和循环伏安法分别用于表征金膜的表面粗糙度和化学稳定性;(2)图案化光学掩模的制备用CorelDRAW软件设计所需的点阵阵列图样,用透明胶片高精度打印的方法制备图案化光学掩模;(3)金膜点阵列的制备把正性光刻胶旋涂于表面等离子体共振金片表面,紫外光通过掩模曝光后,用碱液显影,然后采用选择性化学刻蚀暴露出的金膜,最后用剥离液去掉未曝光的光刻胶层,点的大小和间距由掩模来控制。 |
地址 |
130022吉林省长春市人民大街5625号 |