| 发明名称 | 铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热，电池基板的背部一面用接触式热源加热，镀覆金属预制层的基板-面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1257560C | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN200310107202.8 | 申请日期 | 2003.12.05 |
| 申请人 | 南开大学 | 发明人 | 孙云;李长健;刘唯一;何清;李凤岩;周志强;敖建平;孙国忠 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01);H01L31/042(2006.01);H01L21/36(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/06(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 胡安朋 |
| 主权项 | 1.铜铟镓的硒或/和硫化物半导体光电薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热，电池基板的背部一面用接触式热源加热，镀覆金属预制层的基板一面用波长在红外至紫外区间的光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热。 | ||
| 地址 | 300071天津市卫津路94号 | ||