发明名称 Fehlerdetektionsverfahren, Rückkopierprogrammierverfahren und NAND-Flashspeicherbauelement
摘要 Die Erfindung betrifft ein Fehlerdetektionsverfahren, ein Rückkopierprogrammierverfahren und ein NAND-Flashspeicherbauelement. DOLLAR A Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zur Fehlerdetektion für ein NAND-Flashspeicherbauelement werden in einer Zellenmatrix des Flashspeicherbauelements gespeicherte Daten gelesen. Fehler, die während des Lesens der Daten auftreten, werden gleichzeitig mit einer Rückkopierprogrammierung der gelesenen Daten detektiert. DOLLAR A Verwendung beispielsweise in der Flash-Speichertechnologie.
申请公布号 DE102005043295(A1) 申请公布日期 2006.05.24
申请号 DE200510043295 申请日期 2005.09.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, HYUNG-GON
分类号 G11C7/22 主分类号 G11C7/22
代理机构 代理人
主权项
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