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Integrierte Schaltung auf einem Halbleiterplättchen, mit DOLLAR A - einem ersten Bipolartransistor (Q1) und DOLLAR A - einem zweiten Bipolartransistor (Q2), DOLLAR A wobei DOLLAR A - der erste Bipolartransistor (Q1) einen ersten, durch zumindest eine Epitaxieschicht aufgewachsenen Kollektorbereich (1') eines ersten Leitungstyps aufweist und DOLLAR A - der zweite Bipolartransistor (Q2) einen zweiten, durch diese Epitaxieschicht aufgewachsenen zweiten Kollektorbereich (1) dieses ersten Leitungstyps aufweist, DOLLAR A - der erste Kollektorbereich (1') eine erste Kollektordriftzone (12') und der zweite Kollektorbereich (1) eine zeite Kollektordriftzone (12) aufweist und DOLLAR A - diese erste Kollektordriftzone (12') gegenüber dieser zweiten Kollektordriftzone (12) durch teilweises Ätzen der Epitaxieschicht verkürzt ist.
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