| 发明名称 | 表面等离子体微纳结构成形方法 | ||
| 摘要 | 表面等离子体微纳结构成形方法：(1)根据需要选择腐蚀材料作为基底；(2)在基底材料表面蒸镀一层金属掩蔽膜层；(3)在金属膜层材料表面涂光刻胶，并根据目标结构中的线条分布情况，采用光刻工艺使光刻胶和金属膜层图形化；(4)将带有图形化的金属膜层以及光刻胶层的基底放置在相应的腐蚀液中进行腐蚀；(5)腐蚀过程中，金属膜层下面的基底材料被侧向腐蚀掉，被金属掩盖的基底材料变细，当基底材料与掩蔽层金属无连接时，停止腐蚀，并去掉表面的金属层和光刻胶层，即可获得几十纳米甚至几纳米的线条宽度；(6)以带有纳米级线条的基底为模板进行复制，即可得到纳米级的线条分布。本发明可实现大面积、任意线条图形、细线宽的微纳结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1775658A | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN200510130611.9 | 申请日期 | 2005.12.15 |
| 申请人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明人 | 董小春;杜春雷;罗先刚;李淑红;邓启凌 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | B82B3/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘秀娟;成金玉 |
| 主权项 | 1、表面等离子体微纳结构成形方法，其特征在于由以下步骤完成：(1)首先根据需要选择腐蚀材料作为基底；(2)在所述的基底材料表面蒸镀一层金属膜层；(3)在所述的金属膜层材料表面涂光刻胶，并根据目标结构中的线条分布情况，采用光刻工艺使光刻胶和金属膜层图形化；(4)将带有图形化的金属膜层以及光刻胶层的基底放置在相应的腐蚀液中进行腐蚀；(5)腐蚀过程中，金属膜层下面的基底材料不断被侧向腐蚀掉，被金属掩盖的基底材料不断变细，当基底材料与掩蔽层金属无连接时，停止腐蚀，并去掉表面的金属层和光刻胶层，即可获得2～20纳米的线条宽度；(6)以上述带有纳米级线条宽度的基底为模板进行复制，即可得到纳米级的线条分布。 | ||
| 地址 | 610209四川省成都市双流350信箱 | ||