| 发明名称 | 遮罩式只读存储器 | ||
| 摘要 | 本发明为一种遮罩式只读存储器(Mask ROM)，它含一基础层、一第一掺杂层、一第二掺杂层及一编码层，第一掺杂层是形成于该基础层上，借以作为该遮罩式只读存储器的一预备地线，第二掺杂层是形成于该第一掺杂层上，借以与该第一掺杂层形成一开关，编码层是形成于该第一掺杂层及该第二掺杂层上，以于运作时，由该开关决定读取该编码层的一数据。 | ||
| 申请公布号 | CN1257556C | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN02105446.0 | 申请日期 | 2002.04.01 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 郑一民 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01);G11C11/34(2006.01) | 主分类号 | H01L27/112(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种遮罩式只读存储器，其特征在于，包括：一基础层；一第一掺杂层，它形成于该基础层上，借以作为该遮罩式只读存储器的单一的预备地线，而所述只读存储器具有多个单元，且所述多个单元共用该单一的预备地线；一第二掺杂层，它形成于该第一掺杂层上，借以与该第一掺杂层形成一开关；以及一编码层，它形成于该第一掺杂层及该第二掺杂层上，以于运作时，由该开关决定读取该编码层的一数据。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 | ||