| 发明名称 | 具有自对准的源区和阱区的碳化硅功率器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 过连续地蚀刻掩模层以提供用于形成第一导电类型的源区、与第一导电类型相反的第二导电类型的掩埋碳化硅区域、和在第一导电类型的碳化硅层中的第二导电类型阱区的窗口，提供了碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制备方法。利用该掩模层的第一窗口形成该源区和该掩埋的碳化硅区域。然后，利用该掩模层的第二窗口形成该阱区，通过随后蚀刻具有该第一窗口的该掩模层提供该第二窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN1777982A | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN200480010960.0 | 申请日期 | 2004.02.19 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | S·－H·瑞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种碳化硅功率器件的制备方法，包括：连续地图案化掩模层，以提供用于形成第一导电类型的源区、与第一导电类型相反的第二导电类型的掩埋碳化硅区域、和在第一导电类型的碳化硅层中的第二导电类型阱区的窗口。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||