发明名称 Advanced exposure techniques for programmable lithography
摘要 Advanced techniques for programmable photolithograhy provide enhanced resolution and other aspects of a photolithography system. The pseudo-inverse of a matrix is applied to the results of a calculation to control exposure energies.
申请公布号 US7050155(B2) 申请公布日期 2006.05.23
申请号 US20020283322 申请日期 2002.10.30
申请人 发明人
分类号 G03B27/32;G03B27/42;G03B27/54;G03F7/20 主分类号 G03B27/32
代理机构 代理人
主权项
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