发明名称 改善隔离的双波段功率放大器
摘要 本发明是具有优秀的波段间隔离和小底座的双波段功率放大器。在低波段功率放大器输出端的改善了的二次和四次谐波的陷波器(trap)包括与电感串联放置的旁路到地的第一电容,最好由预定长度的传输线形成的电感,以及连接在传输线电感中间点与地之间形成的第二电容构成。通过进一步地在两个功率放大器的输出之间构成的一个接地环路可以额外地增加波段间的隔离。通过使低波段功率放大器输出打线周围生成的磁场主要在接地环路中形成循环电流,而不是耦合进高波段功率放大器的输出焊线,接地环路进一步隔离了高波段放大器和低波段放大器。
申请公布号 CN1774858A 申请公布日期 2006.05.17
申请号 CN200480009807.6 申请日期 2004.02.10
申请人 M/A-COM公司 发明人 托马斯·A·温斯洛;赵新建
分类号 H03F3/60(2006.01) 主分类号 H03F3/60(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 郭定辉;黄小临
主权项 1.一种双波段功率放大器电路包括:第一功率放大器,用于放大第一基频段的信号,并具有与第一输出导线相连接的输出端;第二功率放大器,用于放大高于所述第一基频段的第二基频段的信号,并具有与第二输出导线相连的输出端;以及与第一功率放大器的输出相连的双谐振谐波陷波器电路,用于陷波所述第一基频的二次谐波信号和所述第一基频的四次谐波信号。
地址 美国马萨诸塞州