| 发明名称 | 浅槽隔离方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包括晶体管和沟槽结构的结构，其中，沟槽结构只引起晶体管的槽道区域的一部分应变。 | ||
| 申请公布号 | CN1774799A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200480010167.0 | 申请日期 | 2004.03.05 |
| 申请人 | 琥珀波系统公司 | 发明人 | M·T·柯里;A·J·洛赫特费尔德 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 范莉 |
| 主权项 | 1.一种结构包括：衬底；布置在衬底的第一区域上面的第一晶体管，该第一晶体管包括：布置在衬底的第一部分中的第一源区域和第一漏极区域；布置在第一源区域和第一漏极区域之间的第一槽道区域，该第一槽道区域有第一类型的应变；以及第一门，该第一门布置在第一槽道区域上面，并在第一源和第一漏极区域之间，该第一门包括从包含掺杂半导体、金属和金属化合物的组中选择的材料；以及第一沟槽结构，该第一沟槽结构靠近第一源区域和第一漏极区域中的一个的至少一侧，第一沟槽结构只引起第一槽道区域中的一部分第一类型应变。 | ||
| 地址 | 美国新罕布什尔 | ||