校平半导体晶圆的方法及装置，及平坦度改进的半导体晶圆

摘要

本发明涉及一种用于校平半导体晶圆的方法，包括下列步骤：a)描述该半导体晶圆特征的参数的与位置相关的测量，以便在该半导体晶圆的整个表面上确定该参数的与位置相关的值，b)在蚀刻介质作用及该整个表面同时照明的情况下，对该半导体晶圆的整个表面进行蚀刻处理，该蚀刻处理的材料—去除速率取决于该半导体晶圆表面的光强，并且以通过与位置相关的材料—去除速率降低了步骤a)中所测量的该参数的与位置相关的诸值之间的差异的方式、以与位置相关的方式预设该光强。本发明还涉及平坦度及纳米构形改善的半导体晶圆、具有改善的层厚均匀性的SOI晶圆及实施本发明方法的装置。

主权项

1、一种用于校平半导体晶圆的方法，包括下列步骤：a)描述该半导体晶圆的特征的参数的与位置相关的测量，以便在该半导体晶圆的整个表面上确定这个参数的与位置相关的值，b)在蚀刻介质作用及该整个表面同时照明的情况下，对该半导体晶圆的整个表面进行蚀刻处理，该蚀刻处理的材料—去除速率取决于该半导体晶圆表面的光强，并且以与位置相关的方式预设该光强，使得所述与位置相关的材料—去除速率降低步骤a)中所测量的该参数的与位置相关的各值之间的差异。