发明名称 | 控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法 | ||
摘要 | 一种控制介电抗反射层特性的方法之特征在于形成此种介电抗反射层时,于含矽气体源与氧气体源所组成的反应气体中加入一含氮气体源,以控制介电抗反射层的n值,并选择增加此含矽气体源对氧气体源或对含氮气体源的比例,以控制介电抗反射层的k值。因此,藉由可控制介电抗反射层的n值和k值,使此介电抗反射层达到最低底层反射的效果。 | ||
申请公布号 | TW200616009 | 申请公布日期 | 2006.05.16 |
申请号 | TW093133612 | 申请日期 | 2004.11.04 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 罗兴安;吕前宏;苏金达 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |