可降低位元线电流之磁性随机存取记忆体及其制造方法

摘要

一种可降低位元线电流之磁性随机存取记忆体及其制造方法，一实施例包括有一下电极、一第一介电层形成于下电极之上、一介层窗于形成第一介电层中、一磁性接面元件对准地形成于介层窗之上、以及一金属层接触地形成于磁性接面元件之上；另一包括有一下电极、一第一介电层形成于下电极之上、一介层窗于形成第一介电层中、一磁性接面元件对准地形成于介层窗之上、一第二介电层形成于第一介电层之上、以及一金属层接触地形成于磁性接面元件与第二介电层之上。其可避免磁性记忆胞因后续蚀刻制程而被损坏，进而提升制程稳定度及良率，并具有降低驱动磁性记忆胞所须之电流及消耗功率之优点。