发明名称 正型光阻材料及图型之形成方法
摘要 本发明系一种正型光阻材料,其系含有:以含有下述式(1a)之exo体之酯基的单元A及具有下述式(1b)之具有2个六氟异丙醇基之酯基的单元B作为构成单元的高分子化合物,094111228-p01.bmp(式中,R^1、R^2表示H、CH3或CH2CO2R^14;R^13表示烷基或芳基;R^4~R^9及R^12、R^13系H或1价烃基,R^10、R^11表示H或形成环,或形成双键;R^14表示H或烷基;上述式也可表示镜像体)094111228-p02.bmp(式中,R^15表示H、CH3,R^16、R^17系H或酸不安定基)。本发明之正型光阻材料系高感度,且具有高解像性,线边缘粗糙度小,适用于制造超LSI用之微细图型形成材料。
申请公布号 TW200615695 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW094111228 申请日期 2005.04.08
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 山润;金子达志
分类号 G03F7/039;C08F220/16;C08F220/24;C08F220/26 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本