发明名称 原子层沉积之含钽黏附层
摘要 于金属形成中在至少一电介质材料内制造原子层沉积之含钽黏附层之设备与方法,其中原子层沉积之含钽黏附层足够地薄以将接触电阻最小化以及将于接触部内包含但不限于钨的金属总剖面积最大化。
申请公布号 TW200616143 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW094121932 申请日期 2005.06.29
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 史蒂芬 强斯顿;凯瑞 史普吉;布朗能 彼德森
分类号 H01L21/768;H01L21/285 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国