非对称异掺杂高电压金氧半导体场效电晶体

摘要

本发明系关于一种非对称异掺杂金氧(AH^2MOS)半导体设备，其包括一基板及一位于该基板之顶部上且安置于一源极区与一汲极区之间的绝缘闸极。在该闸极之一侧上形成异掺杂槽区及源极区。该槽区具有第二极性之掺杂剂。一源极区安置于各个槽区内部且具有与该第二极性相反之第一极性的掺杂剂。在该闸极之另一侧上形成异掺杂缓冲区及漂移区。该等缓冲区包含该第二极性之掺杂剂。该等漂移区安置于该等缓冲区内部且以该第一极性之掺杂剂掺杂。一汲极N＋分接头区安置于该漂移区中。