| 摘要 |
本发明涉及二种以III／V–化合物半导体材料为主之薄膜半导体晶片之制造方法，此III／V–化合物半导体材料适合用来产生电磁辐射，第一制造方法包含以下各步骤：施加一种活性之层序列(1)(其适合用来产生电磁辐射)至生长基板(2)上，此活性之层序列具有一种面向生长基板(2)之前侧(12)和一种远离生长基板(2)之背面(11)；施加至少一介电质层(3)至活性之层序列(1)之背面(11)上以作为一种反射性之层序列(51)之一部份；藉助于雷射使能量施加至介电质层(3)之边界已确定之容积区(8)中，使容积区中形成至少一种面向该活性之层序列(1)之背面(11)之开口(4)；施加至少一种金属层(5)以作为该反射性之层序列(51)之另一部份，使该开口(4)之至少一部份以金属材料填入且形成至少一种至活性之层序列(1)之背面(11)之背面导电性接触位置(6)；施加一种载体(8)至该反射性之层序列(51)上，以及去除该生长基板(2)。依据第二种方法，反射性之层序列(51)施加至活性之层序列(1)上且随后藉助于雷射使能量施加至反射性之层序列(51)之边界已确定之容积区(8)中，以形成至少一种至活性之层序列(1)之背面(11)之背面导电性接触位置(6)。 |
