场效应电晶体,半导体元件,及其等制造方法,暨半导体之结晶成长方法

摘要

本发明之目的系提高场效应电晶体中通道之载体(2次元电子气体)之迁移率，藉此达到元件特性之改善。本发明之解决手段系一种场效应电晶体，其系具有由第Ⅲ族氮化物系化合物半导体所构成之缓冲层和障蔽层，而在上述缓冲层相对于上述障蔽层之界面侧形成通道者，其特征为，上述障蔽层系具有多层构造，该多层构造具备：急遽界面提供层，其构成障蔽层内之最下层之半导体层，急遽地形成与缓冲层间之界面之组成变化；以及电极连接面提供层，其构成障蔽层内之最上层之半导体层，顶面系大致平坦地形成。