发明名称 |
采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种包括绝缘体-半导体转换材料层的场效应晶体管。绝缘体-半导体转换材料层可以选择性地提供第一状态和第二状态,第一状态:当不施与栅场时,带电空穴就不注入到绝缘体-半导体转换材料层的表面;第二状态:当施与负性栅场时,大量的带电空穴被注入到绝缘体-半导体转换材料层的表面形成导电沟道。栅绝缘层形成于绝缘体-半导体转换材料层上。栅极形成于栅绝缘层上,给绝缘体-半导体转换材料层施与预定强度的负性栅场。源极和漏极在绝缘体-半导体转换材料层的两侧彼此相对布置,以便当绝缘体-半导体转换材料层处于第二状态时,电荷载流子能通过导电沟道流动。 |
申请公布号 |
CN1771607A |
申请公布日期 |
2006.05.10 |
申请号 |
CN200380110309.6 |
申请日期 |
2003.12.30 |
申请人 |
韩国电子通信研究院 |
发明人 |
金铉卓;姜光镛;尹斗协;蔡秉圭 |
分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种场效应晶体管,其包括:绝缘体-半导体转换材料层,其选择性地提供第一状态和第二状态,在第一状态中,当不施与栅场时,带电空穴不被引入到绝缘体-半导体转换材料层的表面;在第二状态中,当施与负栅场时,大量的带电空穴被引入到绝缘体-半导体转换材料层的表面,以形成导电沟道;栅绝缘层,其在该绝缘体-半导体转换材料层上形成;栅极,其在该栅绝缘层上形成,给该绝缘体-半导体转换材料层施与预定强度的负栅场;和源极和漏极,它们在该绝缘体-半导体转换材料层两侧彼此相对,当该绝缘体半导体材料层处于该第二状态时,移动带电载流子通过该导电沟道。 |
地址 |
韩国大田市 |