| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种关于对导电层进行垂直或近似垂直的各向异性蚀刻的半导体装置制造方法，包括以下步骤：在半导体层上面形成绝缘层；在所述绝缘层的上面形成含有钽层或氮化钽层中的至少一种的导电层；以及使用含SiCl<SUB>4</SUB>和NF<SUB>3</SUB>的气体进行所述导电层的蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1255865C | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN03160070.0 | 申请日期 | 2003.09.26 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 岛田浩行 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体层的上面形成绝缘层；在所述绝缘层的上面，形成含有体心立方晶格相的钽层和/或氮化钽层之中的至少一种的导电层；以及使用含有SiCl4和NF3的气体蚀刻所述导电层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||