| 发明名称 | 半导体发光元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm<SUP>2</SUP>的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。 | ||
| 申请公布号 | CN1770490A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200510118739.3 | 申请日期 | 2005.10.31 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 井口缘织;梅田浩;仓桥孝尚;渡边信幸;村上哲朗 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：准备形成有含有发光层的至少一个半导体层的第一芯片的工序；在所述第一芯片表面配置对所述发光层的发光波长透明的第二芯片的工序；在所述第一芯片及第二芯片中的至少一个上设置防止该第一芯片及第二芯片的接合不良的防接合不良结构的工序；在所述第一芯片和第二芯片相接的接触面上作用压缩力，同时，加热所述接触面的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||