| 发明名称 | 半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装 | ||
| 摘要 | 本申请涉及半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装。该方法包括：准备由Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底，并在该基底上镀覆晶粒尺寸小于1微米的镀层。通过使Sn镀层的晶粒尺寸最小化，可以抑制当在Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底上形成Sn镀层时晶须的生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1770440A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200510106953.7 | 申请日期 | 2005.09.29 |
| 申请人 | 三星TECHWIN株式会社 | 发明人 | 崔祐硕;金重道;金银熙;李秀奉 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01);H01L21/48(2006.01) | 主分类号 | H01L23/495(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种半导体引线框，包括：Fe-Ni合金(42号合金)基底；以及镀在该基底上的晶粒尺寸小于1微米的层。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚南道 | ||