| 发明名称 | 接合垫结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种接合垫结构。集成电路晶片的接合垫结构中，有一应力缓冲层介于接合垫层与最上层内连线层的金属层之间，以避免晶圆的探针测试与封装撞击对接合垫所造成的破坏。该应力缓冲层为一导电材料，其杨氏模数、硬度、强度或坚韧度大于最上层内连线层的金属层或该接合垫层的杨氏模数、硬度、强度或坚韧度。为改善粘合与接合的强度，可将应力缓冲层的底部修改为各种不同形式，如嵌于保护层的环状、网状或连锁栅格结构，在应力缓冲层中可以有多个孔洞，其由接合垫层将之填满。本发明所述接合垫结构，提供较佳的机械完整性。可避免应力造成的失效与接垫剥离的问题，而大大增加接合的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN1770437A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200510073527.8 | 申请日期 | 2005.06.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄泰钧;姚志翔;万文恺 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种接合垫结构，所述接合垫结构包括：一第一金属层，形成于一集成电路基板之上；一接合垫层，位于该第一金属层之上并且电性连结于该第一金属层；及一应力缓冲层，位于该第一金属层与该接合垫层之间，其中该应力缓冲层的杨氏模数、硬度、强度或坚韧度大于该第一金属层或该接合垫层的杨氏模数、硬度、强度或坚韧度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||